Atomic layer deposition; Logic gates; MOSFET; Optimization; Signal to noise ratio; Threshold voltage; 22 nm; PMOS; Taguchi Method; TiO2/WSix; high-k/metal gate; threshold voltage;
机译:对工艺参数进行统计优化,以减少32 nm PMOS晶体管阈值电压的变化
机译:评估30 nm对称双栅极(SDG)MOSFET的阈值电压及其随工艺参数的变化
机译:45 nm NMOS器件中输入工艺参数阈值电压变化的优化
机译:Taguchi方法统计优化22 nm p型MOSFET阈值电压的工艺参数
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:使用有限元法和TAGUCHI分析优化Inconel 718倾斜钻孔的切割过程参数
机译:使用TAGUCHI方法优化45nm PMOS设备的过程参数变异性