Dielectric Pocket; IMOS; Parasitic Bipolar Effects; VESIMOS; VESIMOS-DP; nano-electronics;
机译:掺入电介质袋(VESIMOS-DP)的垂直应变直击式电离MOSFET的掺杂浓度分析
机译:增强垂直应变碰撞电离MOSFET的可靠性,其具有用于超敏感的生物传感器应用的介电袋
机译:集成电介质袋的50nm垂直MOSFET设计
机译:具有介电口袋(Vesimos-DP)的垂直应变-SiGe冲击电离MOSFET的身体掺杂分析
机译:用于低压低功率应用的非均匀掺杂深亚微米口袋MOSFET的设计和建模
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:掺杂浓度分析垂直应变-SiGe碰撞电离MOSFET介电袋(VESIMOS-DP)的性能分析