机译:具有完全兼容的CMOS逻辑工艺的28nm 2T高价K $金属栅极嵌入式RRAM
机译:CMOS兼容双金属栅极集成,通过高温金属混合成功地对高k HfTaON进行V_(th)调整
机译:采用高K /金属门CMOS兼容技术制造的具有亚μA开关电流和鲁棒可靠性的自选RRAM单元
机译:28nm高k金属栅极RRAM,具有完全兼容的CMOS逻辑流程
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术