Low temperature FDSOI devices, a key enabling technology for 3D sequential integration

机译：低温FDSOI器件是3D顺序集成的关键支持技术

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Processing a high performance transistor at temperature lower than 650°C is the main challenge of 3D sequential integration. This paper shows how FDSOI architecture enables to overcome the issues observed in bulk devices, i.e: higher junction leakage and deactivation and allow performance matching of low temperature devices with their high temperature counterparts.

机译：在低于650°C的温度下处理高性能晶体管是3D顺序集成的主要挑战。本文展示了FDSOI架构如何克服大型器件中观察到的问题，即更高的结泄漏和失活能力，以及允许低温器件与高温器件的性能匹配。

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《International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》|2013年|1-4|共4页
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Batude P.; Sklenard B.; Xu C.; Previtali B.;
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