Degradation; Temperature measurement; Time-frequency analysis; Voltage measurement; Permittivity measurement; Dielectrics; Frequency measurement;
机译:界面处理对金属绝缘子金属(MIM)电容器上8 fF /μm〜2高k介电和组合堆叠中电压线性度的影响
机译:建模串联电阻和电感的MIM电容器以表征纳米高K介电薄膜
机译:建模串联电阻和电感的MIM电容器以表征纳米高K介电薄膜
机译:使用改进的恢复电压技术对MIM电容器的介电弛豫进行模拟表征
机译:高k电介质中的缺陷诱导老化和故障
机译:具有气溶胶沉积的高K介电层的叉指电容器在电容式超感测应用中具有最高的电容值
机译:使用高k TiZrO电介质的高性能MIM电容器