Plasmas; Radio frequency; Reliability; Metals; Delays; Stress; Optimization;
机译:Cu / ULK BEOL结构对TDDB的处理和水分影响
机译:Cu表面粗糙度对TDDB的影响,用于直接抛光40 nm及更高工艺节点上的超低k介电Cu互连
机译:索尼展示了铜/ ULK(2.0)互连的可行性
机译:Cu / ULK(K = 2.5)BEOL互连的TDK和EM在28 / 14nm工艺节点及更高工艺方面的ULK优化
机译:针对先进半导体技术节点的BEOL互连堆栈的优化
机译:通过优化Al / Si比来提高Cu基衬底上AlxSi1-xN涂层的热循环阻力
机译:温度对未来技术节点中深亚微米全局互连优化的影响