Electron traps; Silicon compounds; Three-dimensional displays; Atomic layer deposition; Flash memories; Reliability; Silicon;
机译:基于3D NAND闪存的充电陷阱程序噪声调查
机译:横向电荷迁移诱导3D电荷捕获NAND闪存中的异常读取干扰
机译:错误:'横向电荷迁移在3D充电捕获NAND闪存中引起异常读取干扰NAND闪存'[应用。物理。快递13,054002(2020)]
机译:通过系统的从头算计算对基于SiN的3D NAND闪存中电荷扩散物理学进行全面研究
机译:基于物理的硅纳米晶非易失性闪存单元充电动力学建模
机译:3D NAND闪存记忆中的随机电报噪声
机译:电荷陷阱3D NAND闪存中过渡层缺陷引起的电荷损失