首页> 外文会议>Conference on metrology, inspection, and process control for microlithography XXVI >Static and dynamic photoresist shrinkage effects in EUV photoresists
【24h】

Static and dynamic photoresist shrinkage effects in EUV photoresists

机译:EUV光刻胶中的静态和动态光刻胶收缩效果

获取原文

摘要

Photoresist shrinkage (a.k.a. line slimming) is an important systematic uncertainty source in critical dimension-scanningelectron microscope (CD-SEM) metrology of lithographic features [1][2][3][4][5]. In terms of metrology gauge metrics,it influences bot
机译:光刻胶收缩(又称线细化)是光刻特征的关键尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)度量中的重要系统不确定性来源[1] [2] [3] [4] [5]。就度量衡指标而言,它会影响机器人

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号