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A 6 bit 25 GS/s flash interpolating ADC in 90 nm CMOS technology

机译:采用90 nm CMOS技术的6位25 GS / s闪存内插ADC

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摘要

A 25 GS/s 6 bit flash interpolating ADC in 90 nm CMOS technology with an analog input bandwidth of 14 GHz is presented. The ADC is realized in a fourfold parallelized structure to increase the sampling rate and to increase the available settling time in the single ADCs. To improve the linearity several calibration methods are implemented in the circuit. The power consumption of the whole ADC is 2.3 W, resulting in a FOM of 1.9 pJ/step. The converter core area is 0.75 mm2.
机译:提出了一种采用90 nm CMOS技术的25 GS / s 6位闪存内插ADC,其模拟输入带宽为14 GHz。 ADC采用四重并行结构实现,以提高采样率并增加单个ADC中的可用建立时间。为了提高线性度,电路中采用了几种校准方法。整个ADC的功耗为2.3 W,FOM为1.9 pJ /步。转换器核心面积为0.75 mm 2

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