Co_2FeAl_(0.5)Si_(0.5)-MgF_2グラニュラー薄膜の構造とトンネル磁気抵抗効果

摘要

磁性金属-絶縁体グラニュラー薄膜のTMR比は磁性金属のスピン分極率に依存すると報告されている。 昨年、我々のグループでは磁性金属にCo_2FeAl_(0.5)Si_(0.5)(CFAS)を使用し、膜構成Substrate/ MgO(3nm)/ CFAS(t_(cFAS))/ Al_2O_3(t_(AlO))/CFAS(t_(CFAS))/ Al_2O_3 (3nm)のグラニュラー薄膜において室温で約17%のMR比が得られた事を報告 した。しかし、CFASの構造の詳細については、明らかになっていない。そこで本研究では、CFASを用い たグラニュラー薄膜におけるCFAS微粒子の構造解析を行ったので、その結果について報告する。