Co_2Mn(Ga_(0.25)Ge_(0.75))ホイスラー合金を用いたCPP-GMR素子

摘要

CPP(Current-perpendicular-to-plane)-GMR素子は、素子を構成する全ての層が金属から成るために、絶縁体 層を用いるtunneling magnetoresistance(TMR)素子に比べて素子抵抗を低くでき、高速応答が必要とされる次世 代の高密度磁気記録用再生へッド等への応用が期待されている。最近、CPP-GMR素子にCo_2Fe(Ga_(0.5)Ge_(0.5))ホ イスラー合金を強磁性電極として用いることで室温において40%を超える非常に大きなMR比の報告や僅 か2.5nmのCo_2Fe(Al_(0.5)Si_(0.5))ホイスラ一合金層を用いたCPP-GMR素子で30%超のMR比が報告されており、 高MR特性のみならず、デバイス膜厚の薄膜化が求められる再生へッドなどへの応用の観点からも、ハーフ メタル性を持つホイスラー合金電極を用いたGMR素子は大きな可能性を秘めている。