机译:HfO / sub 2 // HfSi / sub x / O / sub y /高k栅堆叠,漏电流极低,适用于低功率多晶硅栅CMOS应用
机译:双功函数金属栅极MOSFET使用高k栅极电介质的2-D分析建模,具有增强的RF /模拟性能,用于低功耗应用
机译:用于低功耗InGaAs NMOS器件的Mo / Ti / AlN / HfO2高k金属栅叠层研究
机译:积极缩放的高K最后金属栅极堆叠,具有低于20nm逻辑高性能和低功耗应用的低可变性
机译:高k门堆叠在化合物半导体通道材料上,用于低功耗,高性能数字逻辑应用
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:具有3-D Tri-Gate和高k /金属栅极的22nm SoC平台技术,针对超低功耗,高性能和高密度SoC应用进行了优化