机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱LED的V缺陷形成和光学特性
机译:半极(20-21)IngaN / GaN多量子孔在图案化的蓝宝石衬底上生长,内部量子效率高达52%
机译:图案化蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN LED中与激励功率有关的内部量子效率的研究
机译:IngaN多量子井蓝色LED在图案化的蓝宝石基材上生长
机译:高功率氮化铟镓/氮化镓多量子阱蓝色LED的制造
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN LED中激发功率相关的内量子效率的研究