机译:金属栅极粒度引起的随机波动对Si栅极全能纳米线MOSFET 6-T SRAM单元稳定性的影响
机译:随机掺杂物波动效应对环绕栅MOSFET的影响:从原子水平仿真到电路性能评估
机译:亚阈值区双栅MOSFET随机掺杂波动的宏观建模分析模型
机译:基于6-T SRAM性能的随机掺杂对双栅MOSFET的影响数值研究
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:具有纳米级双门SOI MOSFET的6-T SRAM单元设计:源/排水工程和电路拓扑的影响