机译:亚阈值区双栅MOSFET随机掺杂波动的宏观建模分析模型
Yonsei Univ, Sch Elect & Elect Engn, Seoul 120749, South Korea;
Yonsei Univ, Sch Elect & Elect Engn, Seoul 120749, South Korea;
Random dopant fluctuation; Double-gate metal-oxidesemiconductor transistor; Analytical model; Macroscopic modeling method; Green's function;
机译:短沟道三材料双栅极(TM-DG)MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:纳米MOSFET中随机掺杂波动引起的截止频率变异性保留相关性的解析模型。
机译:未掺杂对称双栅极MOSFET的二维分析阈值电压和亚阈值摆幅模型
机译:基于迁移率和掺杂物数量波动的模型的比较分析,用于在存在随机陷阱和随机掺杂物的情况下估算45 nm沟道长度MOSFET器件中的阈值电压波动
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:生物分子模拟中宏观静电模型的快速分析方法
机译:超薄独立双栅极MOSFET弹道亚阈值电流的紧凑模型
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究