extreme ultraviolet lithography; EUV; EUVL; photoresist; 22nm HP; manufacturability; extendibility; micro-exposure tool; MET; roughness; LWR; LER;
机译:22nm半间距的光刻透视图
机译:LWR的抗性材料研究和EUV光刻的分辨率提高
机译:22纳米半节距的EUV光刻技术的发展和研究挑战
机译:EUV光刻22nm半间距及以外:探索解决方案,LWR和敏感性权衡
机译:使用线性逆方法和有限元模型探索2000年冰岛赫克拉火山爆发变形模型中均质弹性半空间假设的敏感性。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:用于EUV光刻的负色度化学放大分子抗蚀剂平台的11nm半间距分辨率