photoluminescence; stacking fault; dislocations; BPD; PL mapping; epitaxial layer;
机译:电子束辐照引起的4H-SiC(1120)外延层中单个Shockley堆垛层错的扩展
机译:高氮掺杂4H-SiC衬底外延生长过程中多层肖克利型堆垛层错形成的观察
机译:单层肖克利堆垛层错对高纯半绝缘4H-SiC输运性能的影响
机译:生长的4H-SiC外延层中的单个Shockley堆垛层错
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:通过室温μ-光致发光和μ-拉曼分析表征3C-SiC外延层截面中的4H和6H类堆积缺陷
机译:4H-SiC外延层中的三重Shockley型堆垛层错