Analytical expression; FinFET; Metal-gate; Modeling and simulation; Random work function; Threshold voltage fluctuation; TiN;
机译:纳米平面Mosfet和Bulk Finfet器件中的过程变异和随机掺杂引起的阈值电压波动
机译:纳米金属晶粒随机功函数在16nm栅极FinFET中的阈值电压波动
机译:金属门MOS器件中由随机功函数引起的阈值电压波动的蒙特卡罗模拟
机译:具有高k金属栅极材料的16-NM散装装置中的随机功函数变化感应阈值电压波动
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动