B10; SER; SIMS; SRAM; thermal neutron;
机译:中子软错误率(SER)灵敏度的研究:通过FinFET和平面MOSFET SRAM的比较仿真研究翻转机制
机译:在SRAM中的大气中子软计速率预测中掺入二次离子信息和TCAD仿真
机译:使用散装核探针和技术节点为90 nm的SOI SRAM评估软错误率
机译:B10对亚微米技术中SRAM的热中子软错误率灵敏度的发现和相关性
机译:SRAM和三维TSV IC的可靠性:针对软错误和三维热建模的设计保护
机译:关于X射线和热中子的断裂敏感性的染色体重结合能力
机译:SRAM中中子引起的软错误的温度依赖性