cost of ownership; lithography; double patterning; EUVL; mask costs;
机译:用193nm浸没式光刻成像干涉光刻和偶极子照明对45nm半节距节点进行仿真
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机译:使用等离子腔透镜增强半间距32 nm和22 nm光刻的外观轮廓
机译:22nm半桨距表光刻技术成本比较估算
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:采用22 nm节点CMOS技术的SiH4和B2H6前体的ALD W填充金属功能的pMOSFET
机译:EUV光刻开发和研究挑战22纳米半场
机译:估算能源部计划环境影响报告中补救技术应用的成本