registration metrology; mask metrology; double patterning lithography; advanced reticles; through-pellicle measurement; in-die registration measurement; LMS IPRO4;
机译:利用双图案光刻技术应对32nm半间距挑战
机译:在X射线光刻中使用扩大的图案掩模在线条和空间图案形成中通过两次曝光极大地扩大了接近间隙(曝光方法向对称照明的演变)
机译:用于光掩模和纳米压印模具的电子束光刻中曝光图案宽度与16nm半间距线间距图形的化学梯度之间的关系的理论研究
机译:具有激光照射源的光掩模图案放置计量的实验测试结果,旨在解决双重图案化光刻挑战
机译:解决 相机 诱捕 研究 挑战: 调查设计 了 多个物种 , 序列依赖 , 和站点 到站点的 变异 在估算 活动规律
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:用于双图案光刻的时序收益率颜色重新分配和详细的位置扰动
机译:基于红外脉冲激光加热的纳米图案混合纳米压印光刻法