RESURF-type JFET; switching characteristics; 4H-SiC;
机译:4H-SiC PiN二极管的高电压和快速开关反向恢复特性
机译:基于4H-SiC垂直JFET的光触发功率开关
机译:$ I_ {bm D} {-} V _ {{bf GS}} $的模型常关4H-SiC双极JFET的特性
机译:4H-SiC RESURF型JFET的快速开关特性
机译:用于高开关频率应用的碳化硅功率半导体肖特基二极管和JFET的特性。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:横向和纵向SiC JFET的开关特性取决于其内部寄生电容
机译:基于4H-siC的BJT到200℃的静态和开关特性