RIE; mesa; PiN diode; breakdown voltage;
机译:台面端接的4H-SiC p-i-n二极管的改进ICP刻蚀
机译:4H-SiC p〜+ nn〜+二极管中的正向偏置退化:台面蚀刻的影响
机译:无损湿法刻蚀工艺对高击穿电压GaN p-n结二极管制造的影响
机译:RIE刻蚀对4H-SiC台面二极管击穿电压的影响
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:脉冲电化学刻蚀制备均匀的4H-SiC中孔
机译:具有改进的MESA结构的高击穿电压垂直GaN-On-GaN P-I-N二极管的研究
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性