Dielectric Pockets; Doping effect; Planar MOSFET; Short channel effect; Vertical MOSFET;
机译:垂直应变冲击电离MOSFET(VESIMOS)的深度设计和仿真分析
机译:基于TCAD仿真的600-3300 V级高速GAN垂直沟MOSFET的渠道移动性对渠道移动性的影响
机译:具有各种焊盘结构的纳米级MOSFET的RF噪声仿真和分析的宽带可扩展有损衬底模型
机译:纳米垂直MOSFET技术的设计与仿真分析
机译:纳米级MOSFET:物理,仿真和设计。
机译:用静电微探针技术表征纳米级电介质膜的介电常数:有限元模拟
机译:基于工程知识的分析和28nm技术节点及以后的实验有效设计优化mOsFET的方法
机译:具有空气/半导体反射镜的长波长垂直腔体激光器:用于硅mOsFET的纳米级栅极技术