GaN HEMT; defect; SiC; leakage current; mass-production;
机译:AlGaN背阻挡层中的Al组成对AlGaN / GaN HEMT的泄漏电流和动态R_(ON)特性的影响
机译:在硅上具有三个含铝的渐变AlGaN缓冲层,可降低AlGaN / GaN HEMT中的泄漏电流
机译:通过AlGaN表面的氧钝化减少AlGaN / GaN HEMT中的栅极泄漏电流
机译:漏电流筛选Algan / GaN HEMT大规模生产
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制