A 70nm 16Gb 16-level-cell NAND Flash Memory

机译：70nm 16Gb 16级单元NAND闪存

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A 16 Gb 16-level-cell (16LC) NAND flash memory using 70 nm design rule has been developed. This 16LC NAND flash memory can store 4 bits in a cell which enabled double bit density comparing to 4-level-cell (4LC) NAND flash with the same design rule. New pr

机译：已经开发出使用70 nm设计规则的16 Gb 16级单元（16LC）NAND闪存。与具有相同设计规则的4级单元（4LC）NAND闪存相比，此16LC NAND闪存可在一个单元中存储4位，从而实现了双位密度。新公关

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来源
《VLSI Circuits, 2007 IEEE Symposium on》|2007年|P.190-191|共2页
会议地点
作者
Shibata; N.; Maejima; H.; Isobe; K.; Iwasa; K.; Nakagawa; M.; Fujiu; M.; Shimizu; T.; Honma; M.; Hoshi; S.; Kawaai; T.; Kanebako; K.; Yoshikawa; S.; Tabata; H.; Inoue; A.; Takahashi; T.; Shano; T.; Komatsu; Y.; Nagaba; K.; Kosakai; M.; Motohashi; N.; Kanazawa; K.; Imamiya; K;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种
中图分类工业技术;
关键词
NAND circuits; flash memories; 16-level-cell NAND flash memory; 4-level-cell NAND flash memory; size 70 nm; storage capacity 16 Gbit; storage capacity 4 bit;

机译：NAND电路;闪存; 16级单元NAND闪存; 4级单元NAND闪存;尺寸70 nm;存储容量16 Gbit;存储容量4位;

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