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【24h】

Leakage Reduction for Domino Circuits in Sub-65nm Technologies

机译:低于65nm技术的Domino电路减少泄漏

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摘要

With aggressive technology scaling, leakage power is fast becoming a significant component of the total power consumption of high-performance circuits. In this paper, we analyse the gate leakage and subthreshold leakage current characteristics of domino c
机译:通过积极的技术扩展,泄漏功率正迅速成为高性能电路总功耗的重要组成部分。在本文中,我们分析了多米诺骨牌c的栅极泄漏和亚阈值泄漏电流特性

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