heterojunction bipolar transistors; indium compounds; III-V semiconductors; mixed analogue-digital integrated circuits; millimetre wave integrated circuits; super-scaled HBT; heterojunction bipolar transistors; emitter feature size; HBT scaling; mixed si;
机译:新工艺使InP HBT达到150GHz
机译:250nm InP HBT中的紧凑型140GHz,150mW高增益功率放大器MMIC
机译:紧凑型140 GHz,150 MW高增益功率放大器MMIC,250-NM INP HBT
机译:用于150 GHz电路的超级INP HBT
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:基于250 nm InP / InGaAs / InP DHBT工艺的140-220 GHz成像前端