Porous dielectric dual damascene patterning issues for 65 nm node: can architecture bring a solution?

机译：65 nm节点的多孔介电双金属镶嵌图案问题：架构能否带来解决方案？

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A dual hard mask, dual damascene architecture was developed to circumvent integration problems brought by porous ULK dielectric use. It was demonstrated that a via first strategy with adequately defined hard masks can improve patterning conditions.

机译：开发了双硬掩模，双镶嵌结构，以规避多孔ULK电介质使用带来的集成问题。事实证明，具有足够定义的硬掩模的先通孔策略可以改善构图条件。

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来源
《Interconnect Technology Conference, 2003. Proceedings of the IEEE 2003 International》|2003年|p.97-99|共3页
会议地点
作者
Assous M.; Simon J.; Broussous L.; Bourlot C.; Fayolle M.; Louveau O.; Roman A.; Tabouret E.; Feldis H.; Louis D.; Torres J.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
dielectric materials; porous materials; masks; photoresists; silicon compounds; wide band gap semiconductors; Porous dielectric dual damascene patterning; dual hard mask; dual damascene architecture; circumvent integration; strategy; SiC;

机译：介电材料;多孔材料;掩模;光致抗蚀剂;硅化合物;宽带隙半导体;多孔介电双镶嵌图案;双硬掩模;双镶嵌结构;规避集成;策略; SiC;

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