Rensselaer Polytechnic Institute.;
机译:具有低k有机膜的铜双大马士革互连的通孔形状控制
机译:双镶嵌铜互连工艺中聚合物残留物化学成分分析及其对通孔接触电阻的影响
机译:使用TaTi势垒金属的高可靠性和低电阻Cu / Low-k双金属镶嵌互连
机译:铜双镶嵌互连制造中用于低k多孔有机硅电介质的双硬掩模工艺
机译:电迁移增强了无铅焊点中铜-锡金属间化合物的动力学,并使用分步和闪光压印光刻技术进行了铜低k双大马士革工艺。
机译:铜双镶嵌互连的早期电迁移失败的紧凑模型
机译:过渡到Cu,镶嵌和低k电介质用于集成电路互连,对工业的影响。