silicon compounds; integrated circuit metallisation; integrated circuit reliability; copper; electromigration; DRAM chips; electrical resistivity; permittivity; integrated circuit interconnections; Cu low-k dual-damascene interconnect technology; hybrid;
机译:有效的铜表面预处理,用于具有高耐等离子体性的超低介电常数(k = 2.2)的高可靠性22 nm节点铜双镶嵌互连
机译:具有原位蚀刻表面修饰的等离子蚀刻技术,可实现高度可靠的低k / Cu双镶嵌互连
机译:Cu / low-k半导体互连的电迁移和应力消除-65 nm互连技术及其他
机译:具有65 nm节点高性能Edram的高度可靠的Cu / Low-K双镶嵌互连技术,具有65 nm节点高性能
机译:Cu /多孔超低k互连技术中的介质/金属扩散屏障