机译:具有隧穿发射极势垒结构的InP / InGaAs单和双异质结双极晶体管的比较研究
机译:具有复合集电极的InP / InGaAs双异质结双极晶体管中的雪崩倍增
机译:具有阶梯式InAlGaAs集电极结构的新型InP / InGaAs双异质结双极晶体管
机译:INP / INGAAS双异质结双极晶体管(DHBT),具有发射极隧道屏障和复合集电极结构
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:INP / INGAASSB / INGAAS双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。