indium compounds; III-V semiconductors; high electron mobility transistors; MMIC amplifiers; cryogenic electronics; HEMT integrated circuits; integrated circuit noise; InP HEMT; cryogenic low noise amplifier; X-band; W-band; InP HEMT MMIC; transcondu;
机译:使用湿蚀刻氢钝化InP HEMT器件的低噪声低温X波段放大器
机译:采用基于GaAs的0.1- / spl mu / m栅极GaAs HEMT MMIC生产工艺技术的94-GHz单片平衡功率放大器
机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:适用于从X波段到W波段的低温低噪声放大器的0.1 / spl mu / m InP HEMT器件和MMIC
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:采用湿蚀刻氢钝化Inp HEmT器件的低噪声低温X波段放大器
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC