机译:Si掺杂GaN / Al_xGa_(1-x)N(x = 0.11,0.25)多量子阱结构中的热发光和慢子带间弛豫的观察
机译:Si掺杂的Al_xGa_(1-x)N / Al_yGa_(1-y)N多量子阱结构(x = 0.6)中结构不均匀性的Si浓度依赖性及其与内部量子效率的关系
机译:电子结构的计算,Y_xGa_(1-x)N的弹性特性以及Y_xGa_(1-x)N / Sc_yGa_(1-y)N异质界面的带偏移
机译:Si-掺杂的Al(亚)XGA(亚)1-XN / Al(Sub)YGA(Sub)1-Yn(x = 0.24-0.53,Y = 0.11)多量子阱结构的光学性质
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:Si掺杂\ ud中结构不均匀性的Si浓度依赖性 Al_xGa_1-_xN / Al_yGa_1-_yN多量子阱结构(x = 0.6)及其与内部量子效率的关系