机译:使用Cu(I)hfac(TMVS)前驱体通过CVD沉积铜层的研究
机译:使用(hfac)Cu(DMB)前驱体进行MOCVD铜金属化,对高深宽比沟槽的保形覆盖物产生附加的蒸气效应
机译:(HFA)Cu·1,5-COD作为化学气相沉积技术的前兆:电子结构,热力学性质和薄铜膜的形成过程
机译:用Cu(HFAC)前体(TMV)的铜CVD膜性能优化,具有添加剂含量的变化
机译:单混合前驱体MOCVD制备钇钡氧化铜高转变温度超导薄膜及其表征。
机译:使用Cu-Zn-Sn-O前体优化CZTSSE薄膜通过掺杂的CZTS薄膜制造的薄膜
机译:基于Cu6PS5I的薄膜的光学和电性能与铜含量变化
机译:通过直接液体共注射(hfac)Cu(TmVs)和TmVs生长铜膜的表征和电学性质