机译:具有超薄栅极氧化物的p / sup + /多晶硅栅极pMOSFET中空穴直接隧穿电流的物理模型
机译:通过超薄二氧化硅栅极电介质直接隧穿应力引起的漏电流的两种传导机制的实验证据
机译:使用直接隧穿电流和MOS器件中的电容电压测量对超薄栅极氧化物进行建模研究
机译:非顽固/应力超薄栅极氧化物直接隧道电流物理模型的实验检查
机译:物理应力和电场对超薄MOS栅极氧化物可靠性的影响
机译:放松温和的模型:冷压力如何破坏鼠标建模
机译:通过分析方法将通过n沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管的超薄栅极氧化物的直接隧穿电流的不同分量进行集成
机译:在mIssE-6上飞行的应力和无应力聚合物薄膜的辐射诱导拉伸失效的检验。