机译:具有Cl2 / N2 ECR等离子体蚀刻台面的1.3 µm InGaAlAs-BH激光器
机译:响应表面法研究SF / sub 6 // He等离子体的刻蚀速率特性:电极间距的影响
机译:基于表面响应方法的[Ru(bipy)3] Cl2-掺杂TiO2 / SiO2光催化降解处理农药残留
机译:响应面法在Cl2 / N2中的Ti和Cl2 / N2 / BCl3等离子体中的TiN的刻蚀特性
机译:用于加工铌超导射频空腔的氩气和Ar / Cl2等离子体的表征
机译:IrCl2(NHCHPh)((dppm)(C(N2dppm))-κ3的晶体结构PCP) Cl·5.5MeCN和IrI(NHCHPh)(((dppm)C(N2))-κ2PC)(dppm-κ2的PP) I(I3)·0.5I2·MeOH·0.5CH2Cl2:PCN钳制铱络合物中的三氮烯裂解
机译:1.3-.mum Ingaalas-BH激光用CL2 / N2 ECR等离子蚀刻MESAS