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Cl2/CH4/N2感应耦合等离子刻蚀InP端面的研究

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本文首次采用Cl2/CH4/N2作为刻蚀气体,系统地研究了感应耦合等离子体干法刻蚀过程中工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841nm/min,与SiO2的选择比达到15∶1.

著录项

来源
《第三届中国光纤器件发展研讨会》|2006年|75-77|共3页
会议地点上海
作者
陈磊; 武汉光讯科技股份有限公司; 张靖; 毛谦;
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作者单位

中国电子元件行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN405.982;
关键词
感应耦合; 等离子体; 刻蚀; 优化工艺;
入库时间 2022-08-17 10:40:14

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