机译:浅掺杂扩展肖特基源/漏SOI MOSFET的CMOS应用
机译:使用自旋掺杂剂的深亚微米MOSFET的浅源极/漏极扩展
机译:浅结源极/漏极扩展纳米CMOS中栅极感应的漏极泄漏的结深度依赖关系
机译:使用B2H6等离子体掺杂深亚微米CMOS的浅p型源/排水延伸
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:采用浅沟槽隔离的深亚微米VLsI CmOs器件的闭合背栅偏置相关反向窄通道效应模型