机译:InGaAs-InP P-1(MQW)-N表面正常电吸收调制器在气源MBE生长的1.55- / spl mu / m应用中显示出优于8:1的对比度
机译:气体源分子束外延生长的1.3 / splμm/ m InAsP n型调制掺杂MQW激光器
机译:气源分子束外延生长的低阈值1.3 / spl mu / m InAsP n型调制掺杂MQW激光器
机译:25个时段/亚/分0.54 / p / sug 0.46 // IN / SUB 0.89 / GA / SUB 0.11 / P MQW为1.55 / SPL MU / M调制由固体源MBE生长
机译:气源分子束外延生长的GaP / InP短周期超晶格中的成分调制和长程有序