首页> 外文会议>Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology >deposition conditions for large area pecvd of amorphous silicon
【24h】

deposition conditions for large area pecvd of amorphous silicon

机译:非晶硅大面积PECVD的沉积条件

获取原文

摘要

The producdtion of amorphous silicon devices usually requires large area,high-deposition-rate plasma reactors.non-uniformity of the film thickness at high power and deposition rate is found to be an important factor for large area deposition.
机译:非晶硅装置的生产通常需要大面积,高沉积速率等离子体反应器。在大功率和沉积速率下,膜厚度的均匀性是大面积沉积的重要因素。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号