机译:在GaAs衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结双极晶体管中使用的InP,InAlAs和AlGaAsSb变质缓冲层的热特性
机译:GaAs衬底上生长的部分有序无序Ga_(0.52)In_(0.48)P中Ⅴ/Ⅲ比和载流子浓度对温度的影响
机译:通过分子束外延生长在(411)A InP衬底上生长的准晶态In_(0.74)Ga_(0.26)As / In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱的各向同性界面粗糙度
机译:通过气源MBE在GaAs(001)基板上生长的Ga_(0.52)In_(0.48)的原子排序对原子序的影响
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:在未对准的Gaas(001)衬底上研究mBE生长的InGaas层中的错配位错构型