机译:针对低相位噪声,基于InP的MMIC振荡器的改进HEMT模型
机译:关于建模由1.5μm激光照射的InP HEMT / MMIC振荡器的工作频率的考虑
机译:关于建模由1.5μm激光照射的InP HEMT / MMIC振荡器的工作频率的考虑
机译:可扩展的非线性和偏置依赖低频噪声模型,用于改进INP锚基的MMIC振荡器设计
机译:硅锗HBT低频噪声和振荡器相位噪声的建模和缩放限制
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:肖特基势垒改变对基于InP的HEMT的低频噪声的影响
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC