机译:第一InSb层的沉积条件对通过InSb双层两步生长法生长的n型InSb薄膜电性能的影响
机译:超化学计量比Sb含量对InSb
机译:控制GaInSb / InAs红外探测器性能的结构参数
机译:材料特性对N型INSB IR光电导探测器一些参数的影响
机译:研究工艺参数变化对离子束溅射Sc2O3和HfO2薄膜的材料性能和激光损伤性能的影响。
机译:选择性激光烧结工艺对多孔材料力学性能的影响
机译:第一Insb层沉积条件对两步生长法制备的n型Insb薄膜电性能的影响Insb双层膜
机译:HgCdTe材料特性及其对IR Fpa性能的影响