机译:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As界面对In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:具有In / sub 2 / S / sub 3 /接口控制层的SiN / sub x // InP / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / InP异质结构绝缘栅(HIG)FET的特性
机译:门控高迁移率In0.53Ga0.47As / InP量子阱结构中零场自旋分裂的实验方法:弱反定位和跳动模式
机译:使用环戊二烯基铟的大气压MOVE,高迁移率Ga / sub 0.47 / in / sup / in / in / Inp异质结构
机译:铟0.53镓0.47砷场效应晶体管的器件建模,分析和制造。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:Ga0.47In0.53As多量子阱异质结构,由与InP晶格匹配的伪四元(InP)n /(Ga0.47In 0.53As)m短周期超晶格限制
机译:理解应变在p型In(x)Ga(1-x)as(Gaas衬底)和In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as(on on)上的孔隙尺寸裁剪中的作用的理论形式Inp substrates)调制掺杂场效应晶体管