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朱敏; 陈俊; 吕加兵; 唐恒敬; 李雪;
苏州大学电子信息学院;
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室;
InGaAs/InP; 近红外光探测器; 暗电流; 光响应; 瞬态响应;
机译:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As界面对In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:探索InP纳米粒子的有效光子管理:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As / InP薄膜光电探测器的宽带光吸收增强
机译:在InP衬底上生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.53)Ga_(0.23)Al_(0.24)As量子中嵌入的InAs量子虚线的光反射研究
机译:p-i-n In_(0.53)Ga_(0.47)As / InP光电探测器的仿真与优化
机译:铟0.53镓0.47砷场效应晶体管的器件建模,分析和制造。
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:In0.53Ga0.47as / Inp对称增益光电混频器的设计与分析
机译:半导体纳米异质结构In0.52Al0.48As / InXGa1-XAs C复合有源区In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As C两次插入InAs
机译:无铅压电(NA0.53 + XK0.47)(NB0.55TA0.45)O3陶瓷及其制备方法
机译:无铅压电(Na0.53 + K0.47)(Nb0.55Ta0.45)O3陶瓷及其制备方法
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