机译:具有两步成分SCH结构的压缩应变InGaAsP MQW BH激光器的腔长和温度相关特性
机译:InGaAsP-InP压缩应变MQW脊形波导激光器在1.3 / spl mu / m时的效率和损耗的阱数,长度和温度依赖性
机译:1.3μmInGaAsP / InP压缩应变MQW激光器具有极低的阈值(0.56 mA)操作
机译:屏障宽度对压缩紧张IngaAs / InGaASP MQW激光器性能的影响
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:InGaAsp / IngaASP MQW DCPBH激光器的制造和调制特性在λ~1.57μm
机译:高功率脉冲操作加宽波导1.5 m InGaasp / Inp mQW激光器的设计与实现