机译:采用离子注入InGaAs JFET技术的700 Mb / s单片集成四通道接收器阵列OEIC
机译:波导InGaAs / InP引脚光电二极管与本地离子注入JFET的单片集成,用于接收器OEIC应用
机译:用于单片平面集成接收器OEIC的InGaAs / InP p-i-n光电二极管层结构中的局部离子注入JFET
机译:高性能扩散Ingaas JFets在OEIC中
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET共源共栅配置的开关性能比较
机译:硅衬底上的光电集成电路(OEIC)InGaas接收器。