机译:使用离子注入n / sup +/-自对准GaAs MESFET的V波段单片低噪声放大器
机译:使用直接离子注入GaAs MESFET的Ka波段单片低噪声放大器
机译:从C波段到X波段的GaAs HEMT低噪声低温放大器,噪声温度为0.7-K / GHz
机译:GaAs MESFET在低温低噪声放大器中实现低温低噪声放大器在低温低温下
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:低温低噪声放大器的噪声温度与物理温度的关系
机译:K波段Gaas mEsFET的大信号表征,放大器设计和性能