EUV lithography; line pattern collapse; surface free energy; adhesive work; SiC;
机译:NTD工艺在EUVL中亚20nm图案化EUV敏感Si硬掩模的影响和优化
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机译:共同优化方法,以减少变形型EUV光刻偏振像差引起的图案变形
机译:化学底层方法可减轻EUV接触孔图案化中的散粒噪声
机译:优化聚氨酯丙烯酸酯的高分辨率接触转移及其在微图案有机发光二极管制造中的应用
机译:同位素特征转移和质量模式预测(IsoStamp):化学指导蛋白质组学的一种使能技术
机译:EUV敏感Si HardMask对NTD工艺EUVL eUVL型图案的影响及优化